储能变流器PCS中SiC碳化硅MOSFET会加速替代IGBT

为什么在储能变流器PCS中SiC碳化硅MOSFET会加速替代IGBT！

使用基本SiC碳化硅MOSFET打造全SiC碳化硅储能变流器PCS！-倾佳电子（Changer Tech）分销

使用基本SiC碳化硅MOSFET升级传统IGBT储能变流器PCS，实现超高的储能变流器PCS平均效率，更小的储能变流器PCS体积重量！更低的储能变流器PCS成本！更高的储能变流器PCS功率密度！

随着铜价暴涨高烧不退，如何降低电感等磁性元件成本将成为电力电子商的一大痛点，使用基本碳化硅MOSFET单管或者模块替代IGBT单管或模块，可以显著提频降低系统综合成本（电感磁性元件，散热系统，整机重量），电力电子系统的全碳SiC时代，未来已来！倾佳电子（Changer Tech）分销基本SiC碳化硅MOSFET！

倾佳电子（Changer Tech）致力于基本国产碳化硅（SiC）MOSFET功率器件在电力电子市场的推广！Changer Tech-Authorized Distributor of BASiC Semiconductor which committed to the promotion of BASiC™ silicon carbide (SiC) MOSFET power devices in the power electronics rket!

基本SiC碳化硅MOSFET单管适用于各类储能变流器PCS，比如电站集中式储能变流器PCS，工商业模块化储能变流器PCS，户用储能PCS等。

储能变流器PCS是连接储能电池系统和电网的双向电流可控转换装置，决定了新型储能系统的效率和安全，影响着新型储能系统的使用寿命。储能变流器的核心作用叠加新型储能电站装机规模攀升，使用基本SiC碳化硅MOSFET打造全SiC碳化硅储能变流器PCS享受市场快速扩张红利。目前市场竞争非常激烈，使用基本SiC碳化硅MOSFET打造全SiC碳化硅储能变流器PCS竞争优势较明显。

使用基本SiC碳化硅MOSFET储能PCS替代IGBT模块方案。SiC以耐高压、耐高温、体积小、响应速度快等优势，规避了IGBT技术壁垒、产能受限的问题.

储能变流器技术发展集中在软件和硬件两大领域。构网型变流器的控制模式（算率密度风冷充电模块，液冷充电模块，欧标充电桩，车载DCDC模块，国网三统一充电模块光储变流器，分布式能源、虚拟电厂、智能充电网络、V2X、综合智慧能源、智能微电网智能光储，智能组串式储能等行业应用，倾佳电子（Changer Tech）为实现零碳发电、零碳数据中心、零碳网络、零碳家庭等新能源发展目标奋斗，从而为实现一个零碳地球做出贡献，迈向数字能源新时代！Changer Tech strives to achieve new energy development goals such as zero-carbon power generation, zero-carbon data centers, zero-carbon networks, and zero-carbon homes, thereby contributing to the realization of a zero-carbon earth and moving towards a new era of digital energy!