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  • █概述CAS:1306-38-3分子式:CeO2分子量:172.13别名:氧化铈英文别名:Cerousoxide█技术指标型UG-CE01外观淡黄色至白色粉末含量≥99.99%一次粒径nm10-30(TEM)比表m2/g40-60灼烧失重(1000℃,1h)≤2.0%█应用范围1.作为玻璃添加剂,能吸收紫外线与红外线;2.应用到汽车尾气净化催化剂中,有效防止大量汽车废气排到空气中
    380.00
      
  • 为什么在逆变焊机中SiC碳化硅MOSFET全面革掉IGBT的命!使用基本SiC碳化硅MOSFET打造全SiC碳化硅逆变焊机!-倾佳电子(Changer Tech)分销使用基本SiC碳化硅MOSFET升级传统IGBT逆变焊机,实现更高的逆变焊机焊接质量,更小的逆变焊机体积重量!更低的逆变焊机成本!随着铜价暴涨高烧不退,如何降低电感等磁性元件成本将成为
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  • 为什么在风电变流器中SiC碳化硅MOSFET模块会替代IGBT模块!使用基本SiC碳化硅MOSFET功率模块打造全SiC碳化硅风电变流器!-倾佳电子(Changer Tech)分销使用基本SiC碳化硅MOSFET功率模块升级传统IGBT模块风电变流器,实现更高的风电变流器效率,更小的风电变流器体积重量!更低的风电变流器成本!随着铜价暴涨高烧不退,如
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  • 为什么在储能变流器PCS中SiC碳化硅MOSFET会加速替代IGBT!使用基本SiC碳化硅MOSFET打造全SiC碳化硅储能变流器PCS!-倾佳电子(Changer Tech)分销使用基本SiC碳化硅MOSFET升级传统IGBT储能变流器PCS,实现超高的储能变流器PCS平均效率,更小的储能变流器PCS体积重量!更低的储能变流器PCS成本!更高的储能变流器PCS功率密度
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  • 为什么在逆变焊机中SiC碳化硅MOSFET全面革掉IGBT的命!使用基本SiC碳化硅MOSFET打造全SiC碳化硅逆变焊机!-倾佳电子(Changer Tech)分销使用基本SiC碳化硅MOSFET升级传统IGBT逆变焊机,实现更高的逆变焊机焊接质量,更小的逆变焊机体积重量!更低的逆变焊机成本!随着铜价暴涨高烧不退,如何降低电感等磁性元件成本将成为
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  • 为什么在通用变频器中SiC碳化硅MOSFET会逐步取代IGBT!使用基本SiC碳化硅MOSFET打造全SiC碳化硅通用变频器!-倾佳电子(Changer Tech)分销使用基本SiC碳化硅MOSFET升级传统IGBT通用变频器,实现更高的通用变频器高功率密度,通用变频器高温环境应用!通用变频器低电机噪声控制!取得通用变频器能耗与性能的最优权衡!随着
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  • 使用基本SiC碳化硅MOSFET打造全SiC光伏逆变器!-倾佳电子(Changer Tech)分销使用基本SiC碳化硅MOSFET升级传统IGBT光伏逆变器,实现更高的光伏逆变器效率,更小的光伏逆变器体积重量!更低的光伏逆变器成本!随着铜价暴涨高烧不退,如何降低电感等磁性元件成本将成为电力电子商的一大痛点,使用基本碳化硅MOSFET单管或者模
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  • 倾佳电子(Changer Tech)分销基本™(BASiC Semiconductor)碳化硅SiC功率MOSFET,BASiC基本™碳化硅MOSFET模块,BASiC基本™单管IGBT,BASiC基本™IGBT模块,BASiC基本™三电平IGBT模块,BASiC基本™I型三电平IGBT模块,BASiC基本™T型三电平IGBT模块,BASiC基本™混合SiC-IGBT单管,BASiC基本™混合SiC-IGBT模块,单通道
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  • 倾佳电子(Changer Tech)分销基本™(BASiC Semiconductor)碳化硅SiC功率MOSFET,BASiC基本™碳化硅MOSFET模块,BASiC基本™单管IGBT,BASiC基本™IGBT模块,BASiC基本™三电平IGBT模块,BASiC基本™I型三电平IGBT模块,BASiC基本™T型三电平IGBT模块,BASiC基本™混合SiC-IGBT单管,BASiC基本™混合SiC-IGBT模块,单通道
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  • 倾佳电子分销BASiC基本™碳化硅SiC功率MOSFET,BASiC基本™碳化硅MOSFET模块,BASiC基本™单管IGBT,BASiC基本™IGBT模块,BASiC基本™三电平IGBT模块,BASiC基本™I型三电平IGBT模块,BASiC基本™T型三电平IGBT模块,BASiC基本™混合SiC-IGBT单管,BASiC基本™混合SiC-IGBT模块,单通道隔离驱动芯片BTD5350,双通道隔离驱动
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  • 国产车规级基本B2M第二代SiC碳化硅MOSFET在OBC中的应用-倾佳电子分销适用于新能源汽车OBC的国产高可靠性碳化硅(SiC)MOSFET-倾佳电子分销BASiC基本第二代SiC碳化硅MOSFET两大主要特色:1.出类拔萃的可靠性:相对竞品较为充足的设计余量来确保大规模时的器件可靠性。BASiC基本第二代SiC碳化硅MOSFET 1200V系列击穿电压BV值实
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  • 基本PcoreTM2 E2B 全碳化硅半桥MOSFET模块-工业级全碳化硅功率模块-倾佳电子分销PcoreTM2 E2B 全碳化硅半桥MOSFET模块BMF240R12E2G3-倾佳电子分销适用于液冷充电桩电源的SiC碳化硅MOSFET模块-倾佳电子分销适用于三相三电平维也纳PFC的SiC碳化硅MOSFET模块-倾佳电子分销BASiC基本第二代SiC碳化硅MOSFET两大主要特色:1.出类
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  • 倾佳电子分销BASiC基本碳化硅SiC功率MOSFE,BASiC基本碳化硅MOSFET模块,BASiC基本单管IGBT,BASiC基本IGBT模块,BASiC基本三电平IGBT模块,BASiC基本I型三电平IGBT模块,BASiC基本T型三电平IGBT模块,BASiC基本混合SiC-IGBT单管,BASiC基本混合SiC-IGBT模块,单通道隔离驱动芯片BTD5350,双通道隔离驱动芯片BTD21520,单通道
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  • SiC碳化硅衬底研磨抛光产品产品分类:吉致·碳化硅研磨抛光·半导体晶圆抛光产品名称:碳化硅研磨液/碳化硅抛光液/碳化硅sic研磨垫/sic精抛垫产品特点:吉致针对碳化硅sic抛光的4道工艺制程搭配不同型研磨液、抛光液和抛光垫(粗磨垫/精磨垫/粗抛垫/精抛垫)。在研磨和抛光应用中提高碳化硅衬底表面质量,同时大大提高材料
    8.00
     
  • 无锡吉致电子25年研发生产——碳化硅晶圆抛光液/硅衬底SIC抛光液/半导体抛光液/CMP化学机械抛光液/硅衬底抛光液/slurry抛光液产品简介:为电力电子器件及LED用碳化硅晶片的CMP化学机械平坦化配制的抛光液。CMP抛光液大大提高了碳化硅晶圆表面去除率和平坦化性能,提供了非常好的表面光洁度吉致电子碳化硅晶圆Slurry抛光液使
    8.00
     
  • 产品分类:吉致电子·抛光垫产品名称:无纺布抛光垫/碳化硅SIC抛光垫/suba800替代产品特点:吉致电子抛光垫满足低、中及高硬度材料抛光需求,针对碳化硅SIC抛光的4道工艺制程搭配不同型抛光垫(粗磨垫/精磨垫/粗抛垫/精抛垫)具有高移除率、高平坦性、低缺陷和高***等优点。产品工艺及用途:特殊纤维结构高***的抛光材料,
    8.00
     
  • BASiC基本半导体碳化硅SiC功率MOSFE,BASiC基本半导体碳化硅MOSFET模块,BASiC基本半导体单管IGBT,BASiC基本半导体IGBT模块,BASiC基本半导体三电平IGBT模块,BASiC基本半导体I型三电平IGBT模块,BASiC基本半导体T型三电平IGBT模块,BASiC基本半导体混合SiC-IGBT单管,BASiC基本半导体混合SiC-IGBT模块,单通道隔离驱动芯片
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    江苏 苏州市

     
  • BASiC基本半导体碳化硅SiC功率MOSFE,BASiC基本半导体碳化硅MOSFET模块,BASiC基本半导体单管IGBT,BASiC基本半导体IGBT模块,BASiC基本半导体三电平IGBT模块,BASiC基本半导体I型三电平IGBT模块,BASiC基本半导体T型三电平IGBT模块,BASiC基本半导体混合SiC-IGBT单管,BASiC基本半导体混合SiC-IGBT模块,单通道隔离驱动芯片
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    广东 深圳市

     
  • 纳米碳化硅粉型:JR-C55;CAS:409-21-2JR-C55纳米碳化硅主要具有以下特性:1.高纯度 (99-99.9%,可定制)、粒径分布范围小(30-100nm,可定制)2.对红外波有较强的吸收能力,可用作红外吸波和透波材料,做成功能性的薄膜或纤维,也可用于抛光研磨。3.具有耐磨,耐高温,耐腐蚀,耐酸碱溶剂,可被广泛应用于涂料、油漆等领域
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  • 材质棕刚玉产地武汉粒度325um适用范围表面处理种类金刚砂品牌美琪林型号46#除锈用高密度耐热震黑碳化硅喷砂磨料耐酸碱腐蚀金刚砂可试样看货 主要化学成份为SiC 。由石油焦碳、石英砂、木屑等为原料在电阻炉中熔炼而成。黑碳化硅的色泽为黑色**其色泽而言,命名为黑碳化硅。黑碳化硅质地比刚玉磨料性脆,硬度较硬,其韧性也
    8000.00
     
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