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  • █概述CAS:1306-38-3分子式:CeO2分子量:172.13别名:氧化铈英文别名:Cerousoxide█技术指标型UG-CE01外观淡黄色至白色粉末含量≥99.99%一次粒径nm10-30(TEM)比表m2/g40-60灼烧失重(1000℃,1h)≤2.0%█应用范围1.作为玻璃添加剂,能吸收紫外线与红外线;2.应用到汽车尾气净化催化剂中,有效防止大量汽车废气排到空气中
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  • 为什么在逆变焊机中SiC碳化硅MOSFET全面革掉IGBT的命!使用基本SiC碳化硅MOSFET打造全SiC碳化硅逆变焊机!-倾佳电子(Changer Tech)分销使用基本SiC碳化硅MOSFET升级传统IGBT逆变焊机,实现更高的逆变焊机焊接质量,更小的逆变焊机体积重量!更低的逆变焊机成本!随着铜价暴涨高烧不退,如何降低电感等磁性元件成本将成为
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  • 为什么在风电变流器中SiC碳化硅MOSFET模块会替代IGBT模块!使用基本SiC碳化硅MOSFET功率模块打造全SiC碳化硅风电变流器!-倾佳电子(Changer Tech)分销使用基本SiC碳化硅MOSFET功率模块升级传统IGBT模块风电变流器,实现更高的风电变流器效率,更小的风电变流器体积重量!更低的风电变流器成本!随着铜价暴涨高烧不退,如
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  • 为什么在储能变流器PCS中SiC碳化硅MOSFET会加速替代IGBT!使用基本SiC碳化硅MOSFET打造全SiC碳化硅储能变流器PCS!-倾佳电子(Changer Tech)分销使用基本SiC碳化硅MOSFET升级传统IGBT储能变流器PCS,实现超高的储能变流器PCS平均效率,更小的储能变流器PCS体积重量!更低的储能变流器PCS成本!更高的储能变流器PCS功率密度
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  • 为什么在逆变焊机中SiC碳化硅MOSFET全面革掉IGBT的命!使用基本SiC碳化硅MOSFET打造全SiC碳化硅逆变焊机!-倾佳电子(Changer Tech)分销使用基本SiC碳化硅MOSFET升级传统IGBT逆变焊机,实现更高的逆变焊机焊接质量,更小的逆变焊机体积重量!更低的逆变焊机成本!随着铜价暴涨高烧不退,如何降低电感等磁性元件成本将成为
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  • 为什么在通用变频器中SiC碳化硅MOSFET会逐步取代IGBT!使用基本SiC碳化硅MOSFET打造全SiC碳化硅通用变频器!-倾佳电子(Changer Tech)分销使用基本SiC碳化硅MOSFET升级传统IGBT通用变频器,实现更高的通用变频器高功率密度,通用变频器高温环境应用!通用变频器低电机噪声控制!取得通用变频器能耗与性能的最优权衡!随着
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  • 使用基本SiC碳化硅MOSFET打造全SiC光伏逆变器!-倾佳电子(Changer Tech)分销使用基本SiC碳化硅MOSFET升级传统IGBT光伏逆变器,实现更高的光伏逆变器效率,更小的光伏逆变器体积重量!更低的光伏逆变器成本!随着铜价暴涨高烧不退,如何降低电感等磁性元件成本将成为电力电子商的一大痛点,使用基本碳化硅MOSFET单管或者模
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  • 倾佳电子(Changer Tech)分销基本™(BASiC Semiconductor)碳化硅SiC功率MOSFET,BASiC基本™碳化硅MOSFET模块,BASiC基本™单管IGBT,BASiC基本™IGBT模块,BASiC基本™三电平IGBT模块,BASiC基本™I型三电平IGBT模块,BASiC基本™T型三电平IGBT模块,BASiC基本™混合SiC-IGBT单管,BASiC基本™混合SiC-IGBT模块,单通道
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  • 冶金工业用碳化钨料钵:在冶金工业中,碳化钨料钵可用于制备冶金原料、合金和其他金属产品。通过研磨和破碎,可以将原料细化至所需的粒度,以便后续冶炼和加工。
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  • 陶瓷工业用碳化钨料钵:在陶瓷工业中,碳化钨料钵可用于研磨和破碎陶瓷原料,如石英、长石、粘土等。其高硬度和耐磨性使得它能够轻松应对这些硬质原料,确保陶瓷制品的质量和性能。
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  • 化工行业用碳化钨料钵:在化工行业中,碳化钨料钵可用于研磨和破碎各种化学原料,如颜料、涂料、催化剂等。其耐腐蚀性和耐磨性使得它能够在化学腐蚀环境中使用,同时保持稳定的性能。
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  • 冶金工业用碳化钨料钵:在冶金工业中,碳化钨料钵可用于制备冶金原料、合金和其他金属产品。通过研磨和破碎,可以将原料细化至所需的粒度,以便后续冶炼和加工。
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  • 碳化钨料钵的材料比较复杂,外壳通常使用普通的45钢制成,而内衬则采用碳化钨材料。碳化钨具有很高的硬度,使得料钵能够研磨高硬度的物料。此外,碳化钨料钵还具有良好的耐磨性和耐冲击性,以适应不同的工作条件。
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  • 倾佳电子(Changer Tech)分销基本™(BASiC Semiconductor)碳化硅SiC功率MOSFET,BASiC基本™碳化硅MOSFET模块,BASiC基本™单管IGBT,BASiC基本™IGBT模块,BASiC基本™三电平IGBT模块,BASiC基本™I型三电平IGBT模块,BASiC基本™T型三电平IGBT模块,BASiC基本™混合SiC-IGBT单管,BASiC基本™混合SiC-IGBT模块,单通道
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  • 倾佳电子分销BASiC基本™碳化硅SiC功率MOSFET,BASiC基本™碳化硅MOSFET模块,BASiC基本™单管IGBT,BASiC基本™IGBT模块,BASiC基本™三电平IGBT模块,BASiC基本™I型三电平IGBT模块,BASiC基本™T型三电平IGBT模块,BASiC基本™混合SiC-IGBT单管,BASiC基本™混合SiC-IGBT模块,单通道隔离驱动芯片BTD5350,双通道隔离驱动
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  • 国产车规级基本B2M第二代SiC碳化硅MOSFET在OBC中的应用-倾佳电子分销适用于新能源汽车OBC的国产高可靠性碳化硅(SiC)MOSFET-倾佳电子分销BASiC基本第二代SiC碳化硅MOSFET两大主要特色:1.出类拔萃的可靠性:相对竞品较为充足的设计余量来确保大规模时的器件可靠性。BASiC基本第二代SiC碳化硅MOSFET 1200V系列击穿电压BV值实
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  • 基本PcoreTM2 E2B 全碳化硅半桥MOSFET模块-工业级全碳化硅功率模块-倾佳电子分销PcoreTM2 E2B 全碳化硅半桥MOSFET模块BMF240R12E2G3-倾佳电子分销适用于液冷充电桩电源的SiC碳化硅MOSFET模块-倾佳电子分销适用于三相三电平维也纳PFC的SiC碳化硅MOSFET模块-倾佳电子分销BASiC基本第二代SiC碳化硅MOSFET两大主要特色:1.出类
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  • 倾佳电子分销BASiC基本碳化硅SiC功率MOSFE,BASiC基本碳化硅MOSFET模块,BASiC基本单管IGBT,BASiC基本IGBT模块,BASiC基本三电平IGBT模块,BASiC基本I型三电平IGBT模块,BASiC基本T型三电平IGBT模块,BASiC基本混合SiC-IGBT单管,BASiC基本混合SiC-IGBT模块,单通道隔离驱动芯片BTD5350,双通道隔离驱动芯片BTD21520,单通道
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  • D708碳化钨合金焊条用途:主要用于化工设备和各种机械设备磨损部位的堆焊修补。如冶金机械、矿上机械、道岔、鄂板、铲斗、铲齿、工程采石船等砖机绞刀、螺旋、搅拌机叶片、风机叶片、选矿机械、工程机械、建材机械!!熔敷金属化学成份/%C≤1.5Cr≤3.0Ni5.0-7.0Si≤1.0W70-85堆焊层硬度:HRC≥68
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  • D707碳化钨堆焊焊条型:EDW-A-15用途:用于堆焊耐岩石强烈磨损的机械零部件,如混凝土搅拌机叶片、推土机、挖泥机叶片、高速混砂箱等。熔敷金属化学成分/%C1.5-3Si≤4Mn≤2W40-50堆焊硬度HRC:≥60
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