SK海力士计划明年量产96层3D NAND闪存

  2018-09-09 阅读:39
 SK海力士在清州建设M15工厂的建成仪式将于9月17日在清州举行。SK海力士计划通过从明年初开始增产96层3D NAND闪存的策略,来巩固其市场主导地位。

 

       SK海力士已投资15万亿韩元(约135亿美元)在清州建设M15工厂,主要生产72层和96层3D NAND闪存。据外媒报道,随着M15工厂的建成,SK海力士将加速大规模生产第五代96层3D NAND闪存。


  报道称,纪念工厂的建成仪式将于9月17日在清州举行。SK海力士计划通过从明年初开始增产96层3D NAND闪存的策略,来巩固其市场主导地位。


  据悉,为应对3D NAND市场的巨大变化,SK海力士M15工厂的建成完工比原计划提前了近6个月。半导体行业分析师表示,“三星电子7月份开始已批量生产96层3D NAND闪存,而东芝和美光计划也将效仿。SK海力士的完工日期提前,部分原因是中国公司在3D NAND闪存市场的积极宣传。”


  与DRAM不同,3D NAND闪存是非易失性存储器半导体,即使在电源关闭时也不会丢失数据。外媒称,大规模生产96层3D NAND闪存不仅证明了SK海力士的先进技术,也将有助于扩大SK海力士在3D NAND市场的份额。


  除此之外,96层3D NAND闪存的批量生产也可以使SK海力士的盈利结构更加平衡。去年,SK海力士在在DRAM领域的营业利润占其总营业利润的90%,其中NAND部门的份额不到10%。相比之下,三星电子的DRAM营业利润占63%,NAND业务占32%。


  从目前来看,韩国、日本和美国的半导体存储器公司在96层3D NAND闪存的竞争将进一步加剧。其中,东芝于今年6月宣布,已完成与西部数据的96层3D NAND闪存技术研发,东芝预计最迟将在今年年底或明年年底生产96层3D NAND闪存;此外,美光计划通过与英特尔的技术合作,在今年完成96层3D NAND闪存技术研发。


  值得一提的是,中国的长江存储在3D NAND闪存方面也已经取得了重要突破。紫光集团联席总裁刁石京曾透露,中国首批拥有自主知识产权的32层3D NAND闪存芯片将于今年第四季度实现量产。此外,64层3D NAND闪存芯片研发也在紧锣密鼓地进行,计划2019年实现量产。

打赏

免责声明:
本站部份内容系网友自发上传与转载,不代表本网赞同其观点;
如涉及内容、版权等问题,请在30日内联系,我们将在第一时间删除内容!

购物指南

支付方式

商家合作

关于我们

微信扫一扫

(c)2008-2018 DESTOON B2B SYSTEM All Rights Reserved
免责声明:以上信息由相关企业或个人自行免费发布,其真实性、准确性及合法性未证实。请谨慎采用,风险自负。本网对此不承担任何法律责任。

在线咨询

在线咨询:

QQ交流群

微信公众号