应用光学真空残气对，人8阴极发射性能的影响徐江涛安应用光学研宄所，陕西西安7害气体是造成阴极灵敏度下降的主要因素。
在1代微光像增强器的研制中，发现阴极激活结束后，阴极灵敏度急速下，为此，借助分析仪器对真空系统内的残气成份进行追踪分析，发现引起阴极灵敏度下降的主要因素是有害气体和杂质当它们成为真空系统中主要压强后，在极短时间内就会使阴极灵敏度下降8脱，甚至到零。本文分析有害气体对阴极灵敏度造成的影响。
1实验装置由，代光像，强器农用的。，48负电广浪合势人1阴极，所以要求制管设备真空度必须优于218抽气机组要，洁且为全无油，目的在于消除真5系统闩身造成的污染制备代管所用的设谷专用代管超高真空制管设备主要是由送样室，激活室和压封审组成抽气所的主泵为离子允，前级预抽泵为吸附泵，系统各室的真空度竖求分别是送样卡封室尸03为实现系统内部超高真空叩取下的残气检测分析，在激活室安装有主机为386性能的极分析仪，用尸随，对系统制管过程的残气成份进行在线分析，还可对设备出现的漏气进行直接检漏残气影响，3人8阴极灵敏度的试验在激活室进行。将激活好的阴极分别置于压强为托托，私0的成份下，连续测兄定压强下的灵敏度随时间的变化，从而得出残气对阴极发射性能的影响作1封室2.激活室3.传违杆4.离户泵5.吸附泵2结果分析2.残气成份分析对阴极激活过程中各种不同工艺条件下的残气进亍在线检测，发现用不同艺处理，释放的残气是不相同的，所得结果2.
对超高真空。1系统进行烘烤后，可看到系质电荷比，统本身的残气是十分清洁的，不存在污染气体清洗阴极组件时寸加热到200，下的残气进行分析，可看到组件放气量较大，真空度与热洗前的压强相比较，下降近个量级，残气成份主要是杜0，B等参3这些气体主要是由组件面释放的。
放大1扩散作用外不断放，造成了放气成份的改变；也说明阴极组件在制备中己有污染，被污染的组件，其有害残气消除是非常缓慢的，但活泼气体随加热温度如果08阴极激活所用的铯及氧源存在污染，要想激活高性能阴极灵敏度也是不可能的。我们对铯氧在激活时有铯氧逸出的情况进行残气分析。其残气诺如阁5和6所祆，看出，除气不彻底的铯氧源在有害残气分压强高于5证时，终得到不到000等有害气体。由于氧源比铯源除气容易，并且也易除净，所以残气谱中除主要是氧外，仅有少量14，谱线十分清晰。
放大器10质量电荷比好Pa放大器质3电荷比8组件热清洗温度达到5，所释放的残气发生变化0基本消失，仍，含量增加。这说明随着阴极组件热清洗温度的提高，材料内部的残气因热质1电荷比6放大器2.2残气对阴极灵敏度的影响实验扣允，监测不同残1分压对，极4爽度的影响，结果7.从7可清楚地看到，对阴极性能影响严重的是，珏，和，而沁和，2影响相对要小些要消除有害残气对阴极发射性能的影响，必须把各残气的分压降低到2ICT8PaW厂，才能保证阴极的相对稳定试验证明，当阴极组件质量稳定，激活工艺正常时，不同总压对阴极发射性能的影响8可看到要延长阴极寿命，并保证灵敏度不降低，除提高工作真空度外，消除有害气体污染也很关键3结论残气和杂质对0人8阴极发射电子性能的影响，从理论上讲主要是长时间残气吸附以，极面，造成了电子发射面逸出功增加，阻碍了电子的有效逸出，降低了阴极面电子发射几率2！当阴极发射就完全失效3，所以要保证，3人8阴有长寿命，除提高制备真空度，还要彻底抑制有害气体的产生，如所用全部材料的彻底除气。有机物的接触及空气的污染，特别是材料使用过程中，定要避免强光对阴极的照削。通过对代微光管的研究。得出残气对极灵敏度影响有如几方面全无油洁净。1中有害残气的产生主要来源于制管过程的质量污染，制管设备真空度优于2 8时，阴极灵敏度20001！保持不变激活中所用铯氧源除气不彻底，存在，3，等残气，造成阴极灵敏度下降，它们主要对，及，2原子的面造成污染阴极组件制备中造成材料内部污染，高温热洗时会使气体再释放，在真空室形成主压强如，组件降温后，有害气体吸附于08阴极面，使面基底先污染，导致阴极激活灵敏度不高对0；1人8阴极灵敏度影响严重的残气是0，托0，而吣，1技相对要小抑制有害残气的产生，避免铯氧污染，彻底除气，在制管过程中杜绝使用有油系统。
心18.北京科学出版社，1968.
向世明，倪国强。光电子成像器件原理肘。北京国防君容，等。光电子器件肘。北京国防工业出版社，
QQ交流群
