Ti的刻蚀可以选择使用反应离子刻蚀技术（reactiveionetching，RIE）或者采用一定浓度的氢氟酸（HF）进行湿法腐蚀。
Au和Pd可以采用干法刻蚀，Au也可采用碘化钾和碘的混合溶液（KI/I2）来湿法腐蚀。接下来是制备TES所需的超导引线以及芯片周围的焊盘，引线和焊盘一般采用超导铌（Nb）或铝（Al）材料来实现。二者的Tc值分别为9.5和1.1K，在探测器几百mK的工作温度下是完全超导的。引线和焊盘通常为同一层，厚度在100—150nm之间，该层一般采用溅射方法生长并使用剥离技术完成图形化。图4展示了日本产业技术综合研究所（AIST）研究小组制备的2种不同尺寸的4个TiTES单光子探测器，每个TES由两根超导Nb引线实现电连接，其中叉指结构的作用是方便光学对准。
超导TES单光子探测器性能表征所用的典型测试系统，其中包括TES的偏置和读出电路，以及光脉冲产生和耦合系统。探测器芯片一般被固定在制冷机的mK温区上，使芯片的衬底温度等于mK温区的温度，由衬底最终提供探测器正常工作时所需要的热沉温度Tb.TES正常工作时所需要的电压偏置由室温电流源提供的偏置电流Ib流过低温下与TES支路并联的电阻Rb来实现。Rb的阻值通常在m量级，远小于TES在工作点处的阻值RTES（RbRTES）。根据分流原理，此时TES两端的电压Vb=Ib.Rb，即提供探测器正常工作所需要的电压偏置。TES的电流是通过一个输入线圈Lin与其串联、工作在磁通锁定环路（ux-lockedloop，FLL）的SQUID放大器来读出的。该类型放大器的灵敏度很高，等效输入电流噪声可以低至几个pA/Hz1/2量级，并且容易与低阻TES实现阻抗匹配。n个光子引起的TES阻值变化量？R非常小，为了方便探测到因电阻变化引起的电流变化量I、电阻Rb、SQUID输入线圈Lin以及TES构成的环路内的电连接是通过铌钛（NbTi）合金超导线实现的。
QQ交流群
