摘要 : 提出了抑制变压器冲击电流的新方法。小功率电压源PWM 变频器通过匹配的变压器与其他变压器串联。当接通的 PWM 变频器为阻性时,没有冲击现象发生。单相电路中,电流冲击时充当阻尼电阻的PWM变频器的额定功率为主变压器的 14%,而在三相电路中为 19%。利用PSCAD/EMTDC技术数字计算机仿真无法确定该方法的有效性和良好的实用性。研制了一台试验样机进行试验,结果证实所提出的方法可以完全避免冲击现象的发生。
关键词:冲击电流;二次冲击现象;铁心饱和;串接电压源PWM变频器;变压器模型;PSCAD/EMTDC
1 冲击电流抑制法
1.1 用 PSGAD/EMTDC组建的变压器模型
PSCAD/EMTDC考虑了变压器的铁心饱和及电源接通时会产生冲击电流的问题。表1列出本文所提及的变压器的试验结果。根据该试验结果,在PSCAD/EMTDC基础上构建了变压器模型。表2示出在PSCAD,EMTDC基础上构建的变压器模型的参数,PSCAD,EMTOc技术可以考虑铁心的饱和磁通和磁滞,但为简化起见,磁滞可忽略不计,仅考虑饱和电压、冲击电流衰减时间和空心阻抗。变压器模型没有考虑变压器的匝数 和铁心截面积,磁通利用电压积分模拟生成。因此 ,按设定的饱和电压可能考虑铁心饱和问题。这里的饱和电压为 1.25 pu。对于电力变压器,一般假设所用取向性硅钢片的额定磁通密度为 1.5 T,饱和电压下的饱和磁通密度为2.1 T。一方面,电压相位为0时接通变压器,铁心的最大磁通密度则为3.0 T。由此可知 ,用设定的饱和电压来研究变压器铁心的饱和现象是 比较恰当的。空心电抗取决于线圈 的电抗,即使在铁心完全饱和、变压器铁心为空心状态时,也存在空心电抗的阻抗。为简化起见,在PSCAD/EMTOC中把空心电抗值设定为漏抗的2倍。另一方面,文献 [3]给出了空心电抗的实测值,比漏抗约大20% 30%。考虑到这一点,本文中使用PSCAD/EMTDC的设定值,把空心电抗看成是漏抗的2倍。在表2中。漏抗为0.114n.空心电抗即为0.228Ω。在PscAD/EMTDc中有必要给空心电抗一个单位 “pu”。研究用的变压器的额定电压为200V、额定电流为3OA、额定阻抗为6.67Ω,因此把空心电抗设定为 0.034 pu。
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