半导体器件的开关特性

　　MOS的基本元件是MOS管。MOS管是一种电压控制器件，它的3个电极分别称为栅极(G)、漏极（D）和源极（S），由栅极电压控制漏源电流。MOS管根据结构的不同可分为P型沟道MOS管和N型沟道MOS管两种，每种又可按其工作特性进一步分为增强型和耗尽型两类。

　　1、静态特性

　　MOS管作为开关应用时，同样是交替工作在截止与饱和两种工作状态。

　　N沟道增强型MOS管的开关特性为：当栅源电压vGS＜开启电压VTN时，管子工作在截止状态，类似于开关断开；当栅源电压vGS＞开启电压VTN（大约在1～2V之间），且漏源电压加大到一定程度，满足vDS≥vGS-VTN时，管子工作在饱和状态，类似于开关接通。

　　P沟道增强型MOS管与N型沟道增强型MOS管所不同的是，其工作电压vGS和vDS均为负电压，开启电压VTP一般大约在-2.5～-1.0V之间。

　　2、动态特性

　　MOS管在导通与截止两种状态发生转换时同样存在过渡过程，但其动态特性主要取决于与电路有关的充、放电所需的时间，而MOS管内部电荷“建立”和“消散”的时间很短。

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