高纯铋主要用于核子工业、宇航工业、电子工业等部门。由于铋具有半导体特征，其电阻在低温时随温度升高而下降。在温差致冷与温差发电方面，Bi2Te3和Bi2Se3合金及Bi－Sb－Te三元合金最引人注意。In－Bi合金和Pb－Bi合金是超导材料，铋的熔点低、密度大，蒸气压小，中子吸收截面小，可用于高温型原子反应堆。
将四九精铋提纯为五九高纯铋的方法较多，其中最有工业价值的是真空蒸馏与区域提纯。
一、真空蒸馏
精铋中还含有的微量杂质，可分为易挥发性杂质与难挥发性杂质两类。易挥发性杂质可用真空加热法除去，难挥发性杂质可用真空蒸馏法除去。
真空过滤在垂直石英管内进行，在真空度为0.1333帕下，温度1000℃时加热4小时，使熔融金属在真空下通过2毫米窄孔，以除去表面的氧化膜，真空过滤后，可除去精铋中的锑。
经真空过滤的铋装在石英管内，温度控制在950～1050℃，真空度保持0.1333帕，进行真空蒸馏，在上述条件下铋的蒸气压为106.7～399.97帕，铋的蒸发率达85%，蒸馏时间2～6小肘。通过真空蒸馏，蒸馏残渣中富集了镍、钼，银、铜、锰等杂质，馏出物即为五九商纯铋，可用于半导体工业。
由于铅与铋的饱和蒸气压较接近，所以甩蒸馏法不能满足除铅要求。但是氯化铅的自由焓较氯化铋的自由焓更负，即铅的氯化物比铋的氯化物更稳定，所以常先采用氯化法除铅，再用真空蒸馏除去银等难挥发杂质。
降低熔融铋中氯化物的含量可采用氨气冲洗法，或采用氯化物真空蒸馏，将真空度控制在0.6666帕，温度650℃，此时BiCl3与PbCl2优先蒸发，而与金属铋分离。
二、区域提纯
熔融铋在冷却结晶时，由于杂质较铋先冷凝，在容器的边缘析出，因而铋锭中心的杂质，比铋锭边缘的杂质少。区域提纯就是根据这个原理，对铋棒进行区域加温熔化，通过熔区缓慢移动，多次返复运动，使杂质富集在铋棒头尾两端，而达到提纯的目的。
为了事先除去铋中氧化物，使铋在真空度约3.333帕下滴熔入耐温玻璃管或石墨舟中，滴熔后，在真空下封闭玻璃管，放入一玻璃套管中。
区熔精炼炉一般拉制石墨舟不动，而采用自动往复运动的感应加热装置，因为高频感应加热具有自然的搅动作用。
区熔提纯时，熔区长与棒长之比为1∶24，石墨舟平置后之倾角为l～3°。熔区移动速度与行程次数之确定与铋原料质量，舟截面积等因素有关，加热温度控制在600℃左右。
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