美国与日本的
锗应用举例及结构示于表1。 表1 锗的应用举例及结构 (%)
年份 | 国别 | 应用 |
光纤 | 红外 | 探测器+半导体 | 催化剂 | 其他 |
1985 | 美国 | 65 | 15 | 10 | - | 10 |
日本 | 17.2 | - | 9.1 | 35.5 | 38.2 |
1996 | 美国 | 40 | 15 | 15 | 25 | 5 |
日本 | 10.7 | - | 10.7 | 71.4 | 7.2 |
1997 | 美国 | 40 | 10 | 20 | 20 | 10 |
日本 | 13.3 | - | 13.4 | 66.7 | 6.6 |
1998 | 美国 | 44 | 11 | 17 | 22 | 6 |
日本 | | | | (72.4) | |
1999 | 美国 | 50 | 15 | 10 | 20 | 5 |
日本 | | | | (91.1) | |
2000 | 美国 | 50 | 15 | 10 | 20 | 5 |
日本 | | | | (84.0) | |
2001 | 美国 | 50 | 15 | 10 | 20 | 5 |
日本 | | | | | |
一、锗作为红外光学材料,具有红外折射率高,红外透过波段范围宽,吸收系数小、色散率低、易加工、闪光及腐蚀等影响,特别适用军工及重大民用中的热成像仪与红外雷达及其他红外光学装置的窗口、透镜、棱镜与滤光片的材料;高纯锗或锗
锂用于天文学的γ-谱仪,核反应能谱仪及等离子物理X-射线仪;Si-Ge
10与掺
汞、
镉、
铜与
镓的锗单晶用于红外探测器。 二、锗半导体器件用作二极管、晶体三极管及复合晶体管、锗半导体光电器件作光电、霍耳及压阻效应的传感器,作光电导效应的放射线
检测器等,广泛用于间响、彩电、电脑、电话及高频设备中,锗管特别适用于高频大功率器件中,且在强辐射与-40℃下运转正常;Ge-Si与Ge-Te作温差发电用于宇航、卫星与空间站的启动
电源等。 三、掺锗光纤具有容量大、光损小、色散低、传输距离长及不受环境等的干扰,是目前唯一可以工程化应用的光纤,是光通讯网络的主体,近年获得大发展(表2)。 表2 全球消耗光纤量
年份 | 1990 | 1991 | 1992 | 1993 | 1994 | 1995 | 1996 | 1997 | 1998 | 1999 | 2000 | 2001 |
耗光纤量/(万km·a-1) | 510 | 780 | 1100 | 1200 | 1440 | 1869 | 2252~3050 | 2677~3770 | 3260~4590 | 3882~6330 | 4702~7880 | 10190 |
1万km光纤需GeCl
4量:单模为6.8-25kg,多模为34-100kg左右,并且15年就需要更换。此外,GeCl
4还用于高速光纤网,链路,光纤传感器,光纤制导及光纤系留装置等。 GeO
2是生产聚对笨二甲酸乙二醇酯(PET)的催化剂,具有长纤维,由其制备的饮料与食用液体的各式容器,无毒、透明且气密性好。锗用于医药,如Ge-132[β-羧乙基锗倍半氧化物-(GeCH
2CH
2COOH)
2O
3]临床应用于防治癌症。BGO作X-射线、CT-仪、PCT-仪,用于诊断肿瘤及骨骼结构与组织坏死等。锗化合物及其有机化合物可作牙膏与高效止痛膏等。