铟的用途

    美国、日本的铟应用举例及结构列表1。 表1  铟的应用举例及结构      （％）

年份	国别	应用
		ITO	低熔合金	半导体＋荧光体	轴承	其他
1985	美国	25.0	31.7	5.8	－	37.5
	日本	28.6	24.6	19.6	4.1	23.1
1996	美国	45	35	15	－	5
	日本	60.0	20.9	16.0	1.0	3.1
1997	美国	45	35	15	－	5
	日本	79.5	11.6	7.2	0.4	1.3
1998	美国	50	33	12	－	5
	日本	78.9	2.9	13.0	0.5	4.7
1999	美国	50	33	12	－	5
	日本	81.9	2.2	11.8	0.4	3.7
2000	美国	49	33	14	－	4
	日本	80.2	6.2	11.4	－	2.5
2001	美国	49	33	15	－	3
	日本	83.3	4.0	11.6	－	1.5

     一、铟的化合物半导体用于光通讯、红外探测器、发光二极管、高效光电池与高速晶体管等。     二、ITO透明电极主要用于液晶显示、导电聚合物及太阳能电池，也用作场致发光元件而用于飞机汽车等舷舱的除雾/冰器，作透明热反射体而用作红外窗口、建筑玻璃窗及烤箱炉门等。     三、铟及铟基合金具有耐磨耐腐蚀特性且机械性能好，特用作高速发动机轴承、酸碱环境及海事仪表、装饰与纪念品涂层。     四、铟与镓、铋、铅、镉、锡、铊等组成1.45－154℃系列低熔合金（见表2），是自动控制、异型加工件的充填物、珠宝加工的卡夹材料（后两者用后易脱除与返用）。作铝导线接头涂层及核工业的控制棒等。 表2  铟基低熔合金（组分余数为铟）

熔点/℃		1.45	18	33	44.5	46.5	54	57.5
组分/％	Sn	12.5	12.5	8	8.3	10.8	11.5	12
	Pb	25	25	21.1	22.6	22.4	17.9	18
	Bi	50	50	42.9	44.7	40.6	49.1	49
	Cd	12.5	－	5	－	8.2	0.5	－
	其它	－	－	－	－	－	－	－
熔点/℃		60	70	81	90.5	93	108	109.5
组分/％	Sn	－	1.0	16.3	16－18	42	46	48
	Pb	－	39.2	－	30－32	－	－	－
	Bi	30.8	50.3	54.0	52	－	－	－
	Cd	7.5	8.0	－	－	14	－	－
	其它	－	－	－	－	－	Zn18	－
熔点/℃		111.5	116	122.5	126	141.5	152	154
组分/％	Sn	－	－	－	37.5	－	－	－
	Pb	44	－	－	37.5	－	－	－
	Cd	55	24.25	27	－	－	－	－
	其它	－	Zn1.75	－	－	Zn2	Ge0.6	Ge0.5

     五、铟与锡、铋、铅等组成熔点在47－234℃（见表3）的铟基焊接剂，具有良好导电性、机械性及防腐特性。既是电子及低温物理学所需，也是机械与氯碱工业特用的焊接剂。 表3  铟基焊接剂（组分余数为铟）

熔点/℃		47	72	77.5	79	93
组分/％	Sn	－	－	－	17	42
	Pb	－	－	－	－	－
	Bi	81.9	33.7	48.5	57	－
	Cd	－	－	16	－	14
	Ag	－	－	－	－	－
熔点/℃		109	116	118	123	144
组分/％	Sn	－	－	48	－	－
	Pb	－	50	－	－	－
	Bi	67	－	－	－	－
	Cd	－	－	－	25	－
	Ag	－	－	－	－	10
熔点/℃		147	151.5	153	158	234
组分/％	Sn	－	－	－	－	－
	Pb	5	－	1.5	20.7	75
	Bi	－	－	－	－	－
	Cd	5	－	－	－	－
	Ag	－	5	－	－	－