本发明涉及半导体核辐射探测器使用的光电二极管和级前置放大器的场效应管。现有的核辐射探测器使用的光电二极管和场效应管为两个部件，固定在同一基板上，彼此连接采用金丝点焊。由于金丝有大约10mm长，其分布电容大约在0.2pf左右。
本发明将光电二极管和场效应管光刻在同一片硅片上，这样场效应管栅极和光电二极管之间几乎是直接相连，大大降低分布电容，其分布电容大约在0.01~0.02pf。因此该系统因分布电容产生的噪声远小于现有的核辐射探测器。
本发明涉及半导体核辐射探测器使用的光电二极管和级前置放大器的场效应管。现有的核辐射探测器使用的光电二极管和场效应管为两个部件，固定在同一基板上，彼此连接采用金丝点焊。由于金丝有大约10mm长，其分布电容大约在0.2pf左右。
本发明将光电二极管和场效应管光刻在同一片硅片上，这样场效应管栅极和光电二极管之间几乎是直接相连，大大降低分布电容，其分布电容大约在0.01~0.02pf。因此该系统因分布电容产生的噪声远小于现有的核辐射探测器。
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