电子器件所能承受静电破坏的静电电压是多少，相信大家都不知道吧，下面我们就一起来看看吧。
以下是一些参考资料中给出的数据：
器件类型 | 静电破坏电压(V) | 器件类型 | 静电破坏电压(V) |
VMoS | 30～1800 | OP-AMP | 190～2500 |
M0SFET | 100～200 | JEFT | 140～1000 |
GaAsFET | 100～300 | SCL | 680～1000 |
PROM | 100 | STTL | 300～2500 |
CMoS | 250～2000 | DTL | 380～7000 |
HMOS | 50～500 | 肖特基二极管 | 300～3000 |
E／DMOS | 200～1000 | 双极型晶体管 | 380～7000 |
ECL | 300～2500 | 石英压电晶体 | ＜10000 |
从上表可见大部分器件的静电破坏电压都在几百至几千伏，而在干燥的环境中人活动所产生的静电可达几千伏到几万伏。
要想获得某个元器件的所能能承受的静电电压要通过试验才能测得。按照国际国内标准，一般使用静电放电敏感度测试仪：
电子元器件静电敏感度的试验主要用ESS-6008/ESS-6002半导体静电放电模拟试验器，而用电子元器件组装成组件、整机的电子设备静电试验则用ESS-S3011A/ESS-B3011A/ESS-L1611A静电放电模拟试验器来做试验。
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