基本™（BASiC Semiconductor）PcoreTM2 E2B 全碳化硅半桥MOSFET模块-工业级全碳化硅功率模块-倾佳电子（Changer Tech）分销PcoreTM2 E2B 全碳化硅半桥MOSFET模块BMF240R12E2G3 BMF240R12E2-倾佳电子（Changer Tech）分销适用于电动垂直起降飞行器eVTOL（electric Vertical Take-off and Landing，即电动垂直起降飞行器）SiC碳化硅MOSFET功率模块，飞行汽车(eVTOL)汽车级全碳化硅功率模块，eVTOL电机驱动碳化硅功率模块-倾佳电子（Changer Tech）分销基本™（BASiC Semiconductor）SOT227碳化硅MOSFET模块B2M012120N适用于液冷大型储能集中式PCS的全碳化硅MOSFET功率模块-倾佳电子（Changer Tech）分销适用于液冷充电桩电源的基本™（BASiC Semiconductor）SiC碳化硅MOSFET模块-倾佳电子（Changer Tech）分销适用于三相三电平维也纳PFC的基本™（BASiC Semiconductor）SiC碳化硅MOSFET模块-倾佳电子（Changer Tech）分销IGBT芯片技术不断发展，但是从一代芯片到下一代芯片获得的改进幅度越来越小。这表明IGBT每一代新芯片都越来越接近材料本身的物理极限。SiC MOSFET宽禁带半导体提供了实现半导体总功率损耗的显著降低的可能性。使用SiC MOSFET可以降低开关损耗，从而提高...