CMP抛光液的主要成分可分为以下几类:氧化铝抛光液、氧化铈抛光液(稀土抛光液)、金刚石研磨液(聚晶抛光液、单晶金刚石抛光液、纳米金刚石抛光液)、氧化硅抛光液、碳化硅抛光液。

硅溶胶抛光液(氧化硅抛光液)是以高纯硅粉为原料，通过特殊工艺（如水解法）生产的高纯度低金属离子型抛光产品。广泛应用于多种纳米级材料的高平坦化抛光，如硅晶片、锗晶片、砷化镓、磷化铟等化合物半导体材料、精密光学器件、蓝宝石衬底、蓝宝石窗口等。

研磨液（金刚石抛光液）以金刚石微粉为主要成分，高分散配方，硬度高韧性好，有良好的高切削率，不易划伤工件表面。通常用于研磨蓝宝石衬底、减薄LED芯片背面、研磨抛光光学晶体和硬盘磁头等。 

碳化硅抛光液是以超细氧化铝和碳化硅粉为磨料的抛光液，主要成分为微米或亚微米磨料。主要用于研磨抛光高精度光学仪器、硬盘基板、磁头、陶瓷、光纤连接器等。

CeO2抛光液（氧化铈抛光液）是以微米或亚微米级CeO2为磨料的氧化铈抛光液，具有分散性好、粒度细、切削能力强、抛光精度高、拋光良品率高、使用寿命长的优点。适用于高精密光学仪器、光学透镜、微晶玻璃基板、晶体表面、集成电路光掩模等工件的精密抛光。

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