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工业变频器中SiC碳化硅MOSFET会逐步取代IGBT
发布时间:2024-06-09        浏览次数:1        返回列表

为什么在工业变频器中SiC碳化硅MOSFET会逐步取代IGBT!

使用基本SiC碳化硅MOSFET打造全SiC碳化硅工业变频器!-倾佳电子(Changer Tech)分销

使用基本SiC碳化硅MOSFET升级传统IGBT工业变频器,实现更高的通用变频器高功率密度,通用变频器高温环境应用!通用变频器低电机噪声控制!取得通用变频器能耗与性能的最优权衡!


随着铜价暴涨高烧不退,如何降低电感等磁性元件成本将成为电力电子商的一大痛点,使用基本碳化硅MOSFET单管或者模块替代IGBT单管或模块,可以显著提频降低系统综合成本(电感磁性元件,散热系统,整机重量),电力电子系统的全碳SiC时代,未来已来!倾佳电子(Changer Tech)分销基本SiC碳化硅MOSFET!


倾佳电子(Changer Tech)致力于基本国产碳化硅(SiC)MOSFET功率器件在电力电子市场的推广!Changer Tech-Authorized Distributor of BASiC Semiconductor which committed to the promotion of BASiC™ silicon carbide (SiC) MOSFET power devices in the power electronics rket!



基本SiC碳化硅MOSFET单管适用于工业变频器应用,比如通用变频器、变频器、电梯变频器等。


虽然传统IGBT器件在其低损耗,高开关频率,高功率密度特征上持续提升,但是由于自身特点的限制,在部分温度高,安装体积紧凑,电机电磁噪声敏感的工业传动场合,已无率密度风冷充电模块,液冷充电模块,欧标充电桩,车载DCDC模块,国网三统一充电模块光储变流器,分布式能源、虚拟电厂、智能充电网络、V2X、综合智慧能源、智能微电网智能光储,智能组串式储能等行业应用,倾佳电子(Changer Tech)为实现零碳发电、零碳数据中心、零碳网络、零碳家庭等新能源发展目标奋斗,从而为实现一个零碳地球做出贡献,迈向数字能源新时代!Changer Tech strives to achieve new energy development goals such as zero-carbon power generation, zero-carbon data centers, zero-carbon networks, and zero-carbon homes, thereby contributing to the realization of a zero-carbon earth and moving towards a new era of digital energy!



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