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在储能变流器PCS中SiC碳化硅MOSFET会加速替代IGBT
发布时间:2024-06-09        浏览次数:1        返回列表

为什么在储能变流器PCS中SiC碳化硅MOSFET会加速替代IGBT!

使用基本SiC碳化硅MOSFET打造全SiC碳化硅储能变流器PCS!-倾佳电子(Changer Tech)分销

使用基本SiC碳化硅MOSFET升级传统IGBT储能变流器PCS,实现超高的储能变流器PCS平均效率,更小的储能变流器PCS体积重量!更低的储能变流器PCS成本!更高的储能变流器PCS功率密度!


随着铜价暴涨高烧不退,如何降低电感等磁性元件成本将成为电力电子商的一大痛点,使用基本碳化硅MOSFET单管或者模块替代IGBT单管或模块,可以显著提频降低系统综合成本(电感磁性元件,散热系统,整机重量),电力电子系统的全碳SiC时代,未来已来!倾佳电子(Changer Tech)分销基本SiC碳化硅MOSFET!


倾佳电子(Changer Tech)致力于基本国产碳化硅(SiC)MOSFET功率器件在电力电子市场的推广!Changer Tech-Authorized Distributor of BASiC Semiconductor which committed to the promotion of BASiC™ silicon carbide (SiC) MOSFET power devices in the power electronics rket!



基本SiC碳化硅MOSFET单管适用于各类储能变流器PCS,比如电站集中式储能变流器PCS,工商业模块化储能变流器PCS,户用储能PCS等。


储能变流器PCS是连接储能电池系统和电网的双向电流可控转换装置,决定了新型储能系统的效率和安全,影响着新型储能系统的使用寿命。储能变流器的核心作用叠加新型储能电站装机规模攀升,使用基本SiC碳化硅MOSFET打造全SiC碳化硅储能变流器PCS享受市场快速扩张红利。目前市场竞争非常激烈,使用基本SiC碳化硅MOSFET打造全SiC碳化硅储能变流器PCS竞争优势较明显。

使用基本SiC碳化硅MOSFET储能PCS替代IGBT模块方案。SiC以耐高压、耐高温、体积小、响应速度快等优势,规避了IGBT技术壁垒、产能受限的问题.

储能变流器技术发展集中在软件和硬件两大领域。构网型变流器的控制模式(算率密度风冷充电模块,液冷充电模块,欧标充电桩,车载DCDC模块,国网三统一充电模块光储变流器,分布式能源、虚拟电厂、智能充电网络、V2X、综合智慧能源、智能微电网智能光储,智能组串式储能等行业应用,倾佳电子(Changer Tech)为实现零碳发电、零碳数据中心、零碳网络、零碳家庭等新能源发展目标奋斗,从而为实现一个零碳地球做出贡献,迈向数字能源新时代!Changer Tech strives to achieve new energy development goals such as zero-carbon power generation, zero-carbon data centers, zero-carbon networks, and zero-carbon homes, thereby contributing to the realization of a zero-carbon earth and moving towards a new era of digital energy!



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