逆变焊机中SiC碳化硅MOSFET全面革掉IGBT的命

为什么在逆变焊机中SiC碳化硅MOSFET全面革掉IGBT的命！

使用基本SiC碳化硅MOSFET打造全SiC碳化硅逆变焊机！-倾佳电子（Changer Tech）分销

使用基本SiC碳化硅MOSFET升级传统IGBT逆变焊机，实现更高的逆变焊机焊接质量，更小的逆变焊机体积重量！更低的逆变焊机成本！

随着铜价暴涨高烧不退，如何降低电感等磁性元件成本将成为电力电子商的一大痛点，使用基本碳化硅MOSFET单管或者模块替代IGBT单管或模块，可以显著提频降低系统综合成本（电感磁性元件，散热系统，整机重量），电力电子系统的全碳SiC时代，未来已来！倾佳电子（Changer Tech）分销基本SiC碳化硅MOSFET！

倾佳电子（Changer Tech）致力于基本国产碳化硅（SiC）MOSFET功率器件在电力电子市场的推广！Changer Tech-Authorized Distributor of BASiC Semiconductor which committed to the promotion of BASiC™ silicon carbide (SiC) MOSFET power devices in the power electronics rket!

基本SiC碳化硅MOSFET单管适用于各类逆变焊机，比如气体保护焊，如氩弧焊、二氧化碳气体保护焊，手工弧焊等。

逆变焊机是指采用逆变技术的弧焊电源，它将交流电先整流成直流电，再通过大功率开关元件的交替开关作用（使用基本SiC碳化硅MOSFET替代IGBT已经成为行业潮流），逆变成几K赫兹甚至几百K赫兹的高频交流电，经过变压器降压后输出给电极和工件，形成高频脉冲电弧的焊机。

逆变焊机相比直流焊机具有以下优点：

1.体积小、重量轻、节约材料，便于携带和。

2.能效高、节能环保、降低用电成本。

3.动态特性好、控制灵活、可实现多种焊接模式和参数调节。

4.输出电压、电流的稳定性好、抗干扰能力强、适应电网波动。

5.焊接、飞溅小、熔深大、变形小、适用于各种金属材料和位置的焊接。

基本SiC碳化硅MOSFET可有效的减少逆变焊机变压器、滤波电感、电容以及散热器，电抗等成本，有效降低逆变焊机体积和成本。基本SiC碳化硅MOSFET提高逆变焊机频率从而提高弧焊电源的动态响应特性，促进焊接工艺的精细灵活，提升焊接质量。

IGBT芯片技术不断发展，但是从一代芯片到下一代芯片获得的改进幅度越来越小。这表明IGBT每一代新芯片都越来越接近材料本身的物理极限。SiC MOSFET宽禁带半导体提供了实现半导体总功率损耗的显著降低的可能性。使用SiC MOSFET可以降低开关损耗，从而提高开关频率。进一步的，可以优化滤波器组件，相应的损耗会下降，从而全面减少系统损耗。通过采用低电感SiC MOSFET功率模块，与同样封装的Si IGBT模块相比，功率损耗可以降低约70%左右，可以将开关频率提5倍（实现显著的滤波器优化），同时保持最高结温低于最大规定值。

为了保持电力电子系统竞争优势，同时也为了使最终用户获得经济效益，一定程度的效率和紧凑性成为每一种电力电子应用功率转换应用的优势所在。随着IGBT技术到达发展瓶颈，加上SiC MOSFET绝对成本持续下降，使用SiC MOSFET替代升级IGBT已经成为各类型电力电子应用的主流趋势。

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